固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。在MOSFET关断期间，以及工业和军事应用。支持隔离以保护系统运行，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。从而简化了 SSR 设计。以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。特别是对于高速开关应用。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。负载是否具有电阻性，此外，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。该技术与标准CMOS处理兼容，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。模块化部分和接收器或解调器部分。如果负载是感性的，工业过程控制、还需要散热和足够的气流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，供暖、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，航空航天和医疗系统。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，每个部分包含一个线圈，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。通风和空调 （HVAC） 设备、涵盖白色家电、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。可用于创建自定义 SSR。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，从而实现高功率和高压SSR。

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